InGaAs APD-moduulit

Malli: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Lyhyt kuvaus:

Se on indiumgalliumarsenidilumivyöryvalodiodimoduuli esivahvistuspiirillä, joka mahdollistaa heikkovirran signaalin vahvistamisen ja muuntamisen jännitesignaaliksi fotoni-valosähköisen signaalin vahvistuksen muunnosprosessin saavuttamiseksi.

saada tarjous ladata

Tekninen parametri

Tuotetunnisteet

ominaisuudet

Etupuolella valaistu litteä siru
Nopea vastaus
Ilmaisimen korkea herkkyys

Sovellukset

Laseretäisyys
Laserviestintä
Laservaroitus

Valosähköinen parametri（@Ta=22±3℃）

Tuote nro	Pakettiluokka	Valoherkän pinnan halkaisija (mm)	Spektrivastealue (nm)	Läpilyöntijännite (V)	Responsiivisuus M = 10 λ = 1550 nm (kV/W)	Nouseva aika (ns)	Kaistanleveys (MHz)	Lämpötilakerroin T_a= -40℃～85℃ (V/℃)	Meluekvivalenttiteho (pW/√Hz)	Samakeskisyys (μm)	Korvattu tyyppi muissa maissa
GD6510Y	TO-8	0.2	1000-1700	30-70	340	5	70	0.12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B