850nm Si PIN-moduulit

Malli: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Lyhyt kuvaus:

Se on 850 nm:n Si PIN -valodiodimoduuli esivahvistuspiirillä, joka mahdollistaa heikkovirran signaalin vahvistamisen ja muuntamisen jännitesignaaliksi fotoni-valosähköisen signaalin vahvistuksen muunnosprosessin saavuttamiseksi.

saada tarjous ladata

Tekninen parametri

Tuotetunnisteet

ominaisuudet

Nopea vastaus
Yliherkkyys

Sovellukset

Lasersulake

Valosähköinen parametri (@Ta=22±3℃)

Tuote nro	Pakettiluokka	Valoherkän pinnan halkaisija (mm)	Responsiivisuus	Nouseva aika (ns)	Dynaaminen alue (dB)	Käyttöjännite (V)	Melujännite (mV)	Huomautuksia
Tuote nro	Pakettiluokka	Valoherkän pinnan halkaisija (mm)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ = 850 nm	Käyttöjännite (V)	Melujännite (mV)	Huomautuksia
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Tuottokulma: 0°, läpäisy 830nm ~ 910nm ≥90 %
GD4251Y-A		10 × 1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10 × 0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Huomautuksia: GD4213Y:n testikuorma on 50Ω, loput muut ovat 1MΩ