1064nm APD-moduulit

Malli: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Lyhyt kuvaus:

Se on parannettu Si-vyöryvalodiodimoduuli, jossa on esivahvistuspiiri, joka mahdollistaa heikkovirran signaalin vahvistamisen ja muuntamisen jännitesignaaliksi fotoni-valosähköisen signaalin vahvistuksen muunnosprosessin saavuttamiseksi.

saada tarjous ladata

Tekninen parametri

Tuotetunnisteet

ominaisuudet

Etupuolella valaistu litteä siru
Nopea vastaus
Korkea APD-vahvistus

Sovellukset

Laseretäisyys
Laserviestintä
Laservaroitus

Valosähköinen parametri (@Ta=22±3℃)

Tuote nro	Pakettiluokka	Valoherkän pinnan halkaisija (mm)	Spektrivastealue (nm)	Läpilyöntijännite (V)	Responsiivisuus M = 100 λ = 1064 nm (kV/W)	Nouseva aika (ns)	Kaistanleveys (MHz)	Lämpötilakerroin Ta = -40℃～85℃ (V/℃)	Melua vastaava teho (pW/√Hz)	Samakeskisyys (μm)	Korvattu tyyppi muissa maissa
GD6212Y	TO-8	0.8	40-1100	350-500	150	8.8	40	2.2	0,15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0,15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0,27		C30659-1060-3A